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北京首都科技發(fā)展集團有限公司出資——碳基集成電路芯片及產(chǎn)業(yè)化應用項目

發(fā)布日期:2019-12-10
來(lái)源:本站

項目名稱(chēng):
碳基集成電路芯片及產(chǎn)業(yè)化應用
產(chǎn)業(yè)化公司名稱(chēng):
北京華碳元芯電子科技有限責任公司

出資主體:

北京首都科技發(fā)展集團有限公司


 

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項目簡(jiǎn)介

北京大學(xué)彭練矛教授及其團隊創(chuàng )造性地提出并實(shí)現了碳納米管“無(wú)摻雜CMOS技術(shù)”,解決了碳基集成電路的一系列基礎問(wèn)題,發(fā)展了高性能碳管CMOS晶體管和光電器件的批量制備技術(shù),并率先實(shí)現了中等規模的碳基集成電路制備。2015年9月30日,首發(fā)展集團與項目團隊聯(lián)合發(fā)起設立平臺公司,開(kāi)展碳基集成電路的產(chǎn)業(yè)化工作。公司實(shí)現了性能接近量子極限的碳基晶體管、三維光電集成系統,有望將集成電路技術(shù)推進(jìn)到3納米節點(diǎn)以下,實(shí)現速度更快、功耗更低、集成度更高的新型碳基集成電路芯片,推動(dòng)未來(lái)信息技術(shù)的發(fā)展, 為后摩爾時(shí)代的電子學(xué)帶來(lái)新一輪的繁榮。

 

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高性能碳管CMOS晶體管和光電器件的批量制備技術(shù)


項目亮點(diǎn)

·形成了具有完整自主知識產(chǎn)權的碳基集成電路新體系,相關(guān)研究成果14次寫(xiě)入國際半導體技術(shù)發(fā)展路線(xiàn)圖。

·團隊研制的10nm碳納米管CMOS器件是唯一性能超過(guò)Intel 14nm硅基CMOS器件,

·團隊研制的5nm碳納米管CMOS器件將晶體管性能推至理論極限,相關(guān)成果發(fā)表于《科學(xué)》期刊并入選2017年中國高校十大科技進(jìn)展。

·2018年習近平總書(shū)記在北京大學(xué)考察期間曾對研究院碳基集成電路相關(guān)成果給與高度評價(jià)。
 

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彭練矛教授向習近平總書(shū)記講解碳芯片技術(shù)

 

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1.5nm碳納米管CMOS器件


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